Simon St-Jacques's PhD thesis defence

Design et fabrication de grille en T sub-100 nm pour transistors HEMT GaN 

Résumé : L'augmentation de la fréquence de coupure des transistors de forte puissance à haute mobilité électronique sur nitrure de gallium (HEMT GaN) dotés de grilles en Té, requiert une réduction de la longueur du pied de grille. Cependant, lors de la miniaturisation des dispositifs, cette réduction se heurte à des capacités parasites qui s'écartent des lois d'échelle conventionnelles. L'émergence de ces composantes parasites restreint drastiquement les performances fréquentielles, rendant incontournable le développement d'architectures et de procédés de fabrication alternatifs. Ce travail présente une méthode d'optimisation de la capacité parasite du chapeau de grille fondée sur l'intégration de cavités d'air (air-gaps) flanquant le pied de grille. Le procédé de fabrication mis en œuvre permet l'obtention de cavités profondes à rapport de forme élevé. Enfin, l'impact des modifications induites par la gravure plasma sur les propriétés de transport est analysé.

Jury :